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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  R5F51406ADFN#10微控制器Renesas 2024-06-25 09:25:42

  R5F51406ADFN#10微控制器是Renesas RX100系列中的RX140系列產品，特點包括：搭載RXv2內核，工作頻率高達48MHz，性能是前代的兩倍；功耗低，運行時56μA/MHz，待機0.25μA；具備先進的觸摸技術，抗噪性和防水性強；外設功能豐富，包括CAN、AES加密和隨機數發生器；適用于家用電器、工業控制和樓宇自動化等高精度和能效要求的環境。